- Intel интересуется покупкой разработчика... (2319)
- Microsoft и OpenAI решили сами определить,... (2288)
- 7000 мАч, IP69, 120 Гц и 50 Мп — всего 245... (1891)
- NVIDIA может инвестировать до $1 млрд в... (2279)
- Китай впервые добился превращения тория в... (2085)
- SpaceX показала интерьер лунного Starship —... (1809)
- «Ростелеком» запустил массовое производство... (2256)
- Toyota обновила рекорд продаж за девять... (2296)
- 120 Гц, оригинальный дизайн и аккумулятор... (2276)
- Гораздо позже ожидаемого: инсайдер раскрыл... (1880)
- Наконец, Ultra для глобального рынка.... (2372)
- Ракета Falcon 9, которая была в космосе уже... (1796)
- Бигтехи направят на ИИ-инфраструктуру $400... (3114)
- Посиделки руководителей Nvidia, Samsung и... (3602)
- AMD опровергла слухи о прекращении поддержки... (4380)
- Власти одобрили возведение завода TSMC с... (1974)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...