- Meta* объявила о рекордных убытках Reality... (3933)
- Марк Цукерберг: инвестиции Meta* в ИИ и... (4999)
- Дешёвая память закончилась: цены на DDR4 и... (4306)
- Лавкрафтианское приключение Dreadmoor от... (4379)
- Запас хода до 1500 км и разгон до 100 км/ч... (2901)
- Чтобы успели доставить машины, которые уже в... (4593)
- Первый кроссовер АвтоВАЗа — Lada Azimut —... (4407)
- Snapdragon 8 Elite 6, экраны 8,1 и 6,6... (3693)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, аккумулятор около... (4038)
- Рамный внедорожник с 8-ступенчатым... (3663)
- В Казахстане стартовали официальные продажи... (4907)
- Toyota Camry 2025 предлагают в Москве уже... (3075)
- Thermal Grizzly начала принимать заказы на... (4682)
- В России можно заказать машину DeLorean... (4519)
- Apple завершила прошлый квартал с рекордной... (4745)
- Обновленная Siri появится в следующем году,... (4744)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...