- Snapdragon 8 Elite 6, экраны 8,1 и 6,6... (3689)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, аккумулятор около... (4035)
- Рамный внедорожник с 8-ступенчатым... (3659)
- В Казахстане стартовали официальные продажи... (4904)
- Toyota Camry 2025 предлагают в Москве уже... (3072)
- Thermal Grizzly начала принимать заказы на... (4680)
- В России можно заказать машину DeLorean... (4519)
- Apple завершила прошлый квартал с рекордной... (4737)
- Обновленная Siri появится в следующем году,... (4736)
- Руководство Apple рассчитывает, что этот... (3321)
- Руководство Apple рассчитывает на более... (4586)
- Canva запустила ИИ-модель, которая умеет... (3162)
- Geely умеет удивлять. Просторный седан Geely... (3262)
- Недорогой смартфон с аккумулятором 7000 мАч,... (3246)
- Представлен Voyah Free+ Sport: спортпакет,... (6865)
- Флагманский кроссовер Chery Fulwin T11 вышел... (4394)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...