- Arc Raiders вышла в Steam без поддержки... (3154)
- Это будет самый большой автомобиль... (3818)
- От GeForce GTX 660 до RTX 5060. Большой тест... (2978)
- Выглядит, как колонка, звучит, как колонка,... (3871)
- Лучший момент для покупки GeForce RTX 5090... (4639)
- Новейшие Intel Core Ultra X7 358H и Core... (4741)
- Xiaomi выпустила пауэрбанк на 20 000 мА·ч с... (3589)
- Стелс-экшен Thief VR: Legacy of Shadow... (2851)
- За час в любую точку Земли: крупнейшее... (3331)
- Специалисты iFixit обнаружили «парадокс... (3237)
- Анонсирован смартфон iQOO Neo11 со... (3183)
- Apple выпустила инструкции по ремонту всех... (2773)
- ИИ сожрал $80 млрд за квартал и на этом не... (3223)
- Логово геймера, фоторежим, низкая сложность... (3032)
- Ностальгический вертолётный шутер Cleared... (3883)
- Китай одобрил сделку по продаже... (5106)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...