- После блокировки звонков в мессенджерах... (4493)
- Lucid пообещала потребительские... (3706)
- Какой будет Snapdragon 8 Elite Gen 6. Новой... (3632)
- Первый в мире коммерчески доступный... (5263)
- Американский стартап Substrate намекнул, что... (5057)
- Они уже среди нас: 35-килограммовый... (4644)
- NUC уже без Intel, но всё равно не может... (3167)
- Российский клон Chery Tiggo 7L — Tenet T7 —... (5129)
- Android 16 и новое с ИИ: Oppo анонсировала... (3767)
- США и Китай могут закопать топор войны:... (3806)
- США и Китай могут подружиться: Трамп обсудит... (5134)
- NVIDIA представила интерконнект NVQLink для... (3899)
- Новый процессоры Intel потребуют новых... (3544)
- Сколько? Nvidia стоит уже почти 5 трлн... (5116)
- Apple хочет больше экранов OLED. Такие... (4854)
- Обработка завершится до конца года: в Rutube... (3489)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...