- Стартап из США разработал... (3696)
- В Казахстане будут выпускать полноприводный... (5007)
- Геймплейный трейлер раскрыл дату выхода в... (5046)
- Заказы на новый Nissan X-Trail принимают в... (3553)
- Политическая активность Илона Маска стоила... (3348)
- «За все эти 26 лет никто не сказал мне»:... (3386)
- Платформа Volvo с 2,0-литровым мотором,... (3208)
- Сразу несколько мощнейших вспышек высшего... (5328)
- Солнце выбросило несколько мощнейших вспышек... (3724)
- Nvidia поможет построить семь... (3485)
- Самый популярный в мире автомобиль... (3755)
- Бум ИИ создал дефицит SSD большой ёмкости —... (5396)
- Открыты три экзопланеты земного типа с... (3618)
- Toyota провела встречу с российскими... (3788)
- У ИИ-поисковиков обнаружилось пристрастие к... (5087)
- После блокировки звонков в мессенджерах... (4499)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...