- Бум ИИ создаёт не один, а множество... (4886)
- 5100 мАч, 35 Вт, 90 Гц и много памяти —... (5256)
- Грибная электроника приближается — учёные... (4193)
- Китайскому заводу захваченной Nexperia... (4714)
- AMD продала Sanmina производственное... (5253)
- AMD продала Sanmina производственное... (4582)
- Представлен Chery Tiggo 8 нового... (3424)
- Разработчики «Русы против ящеров 2»... (4064)
- Маск запустил Grokipedia: она в разы меньше... (3887)
- Samsung возместила полную стоимость... (4805)
- Новенький флагманский Samsung Galaxy S25+... (3840)
- Yadro начала выпускать в Дубне мини-ПК под... (3200)
- Yadro начала выпуска в Дубне мини-ПК под... (5907)
- 7000 мАч, 100 Вт, топовый экран Samsung 2K... (5130)
- Первый в истории Samsung с двумя шарнирами... (3370)
- Кроссовер Hyundai с «автоматом» — недорого.... (5175)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...