- BMW впервые с 2022 года возглавила рейтинг... (3702)
- Большой аккумулятор, быстрая зарядка, корпус... (3553)
- Для OnePlus 15 выпустили магнитный... (5360)
- Qualcomm представила новые ИИ-чипы AI200 и... (5135)
- Kawasaki Heavy испытала беспилотный... (4286)
- В Японии разрабатываются дроны, способные... (4046)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, перископический... (3498)
- Россия и Иран работают над проектом АЭС... (3915)
- Илон Маск: Grokipedia станет в 10 раз лучше,... (4825)
- Россияне активно переходят на мониторы... (5874)
- Юбилейный iPhone получит твердотельные... (4537)
- NASA закрыло доступ к информации об... (5592)
- Ещё не хирург, но неплохой уборщик: Tesla... (3777)
- Илон Маск: Если разогреть Марс, то на нём... (4160)
- Глава совета директоров Tesla: для Маска... (3590)
- Председатель совета директоров Tesla... (3753)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...