- Покупки прямо в ChatGPT можно будет... (3854)
- Apple ворвалась в тройку компаний с... (5127)
- 9 из 10 игр для Windows теперь запускаются... (3770)
- Моддеры готовят аналог GTA Online для... (3182)
- Corsair представила MP700 Pro XT —... (3762)
- 25 лет человека на МКС в реальном времени:... (5213)
- Установить оборудование и очистить... (4014)
- Новый бюджетный смартфон Google, который... (5391)
- Китайские власти усилии запреты для блогеров... (3327)
- Китайские власти запретили блогерам... (3923)
- OpenAI стала «компанией общественного блага»... (5478)
- В России представили пять новых моделей... (3684)
- В Россиии представили пять новых моделей... (4127)
- Sid Meier’s Civilization VII получит «одну... (4080)
- Windows 11 начнёт предлагать проверку памяти... (5143)
- В Венгрии продают настоящую Lada Vesta... (5872)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...