- Escape from Duckov опередила Skyrim по... (4742)
- Samsung Galaxy S25 Plus загорелся в руках... (5048)
- Samsung заполучила своего Джони Айва —... (5579)
- «Скоро над Прагой взойдёт солнце»: создатели... (3922)
- «Мы обнаружили серьёзную ошибку». Илон Маск... (4484)
- «Мы обнаружили серьёзную ошибку». Илон Маск... (5127)
- Видеокарта цвета хаки. MSI представила... (3741)
- В России подорожали «параллельные»... (3660)
- Люди бегут с Windows 10 на macOS? Apple... (3774)
- OnePlus представила флагманский планшет... (3722)
- Инсайдер раскрыл главную игру ноябрьской... (3426)
- Представлен смартфон OnePlus Ace 6 с большим... (3654)
- В Telegram добавят автоотправку сообщений и... (3978)
- Представлен OnePlus 15 — флагман со... (4585)
- Видеокарта AMD с 32 ГБ и за 1300 долларов,... (3319)
- В России начинают выпуск автомобилей... (3592)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...