- В России начнут выпускать китайские... (6623)
- Запуск экипажа МКС-74 всё ближе:... (4795)
- Модем Apple C2 в линейке iPhone 18 будет... (5866)
- Apple проиграла гонку за нанометры — Nvidia... (5227)
- Акции iRobot рухнули в цене на 33 %... (6271)
- Домашний мини-суперкомпьютер Nvidia DGX... (6160)
- Первый Zeekr 9X привезли в Россию: 897 л.с.... (5404)
- «Неубиваемый. Проверен Россией». Honor... (3896)
- Глобальный перезапуск «Алисы»: представлена... (5037)
- Activision устроит вторую за месяц неделю... (3810)
- Из Китая — от 1,67 млн рублей, из Японии —... (4261)
- В небе над Москвой нечто оставило огненный... (3636)
- Samsung показала свой первый смартфон,... (4197)
- Сотни тысяч пользователей ChatGPT... (4039)
- Хакеры-вымогатели теряют прибыль — жертвы... (3738)
- Microsoft превратит следующую Xbox в... (3822)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...