- Amazon проморгала рынок и теперь её клиенты... (4346)
- В Китае — 800 долларов, в Европе — 1300... (4303)
- Первый в мире OLED-монитор с панелью... (5083)
- Нужно больше игровых процессоров. AMD... (4881)
- AMD готовит самый дешёвый игровой процессор... (4033)
- Microsoft спровоцировала рост продаж Apple... (4085)
- В «Apple Картах» появятся рекламные... (5075)
- iPad Pro нового поколения получит охладитель... (3972)
- Япония запустила к МКС грузовик HTV-X1 с... (4894)
- Micron представила 192-Гбайт модули памяти... (6267)
- «Росатом» представил «паука»: ультразвуковой... (5195)
- Более 2 миллионов активированных устройств... (4342)
- RTX 5090 тут выглядит, как бюджетная... (4829)
- Эталонную видеокарту GeForce RTX 5090 FE... (5359)
- Дешевые флагманы Redmi K — всё? Компания... (4693)
- Дешевые флагманы Redmi K — всё? Компания... (5312)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...