- Nvidia наконец-то поняла. Компания сокращает... (3939)
- Amazon раскрыла данные об использовании воды... (3812)
- Режим "Mad Max" Tesla привлёк внимание... (5843)
- Астрономы впервые наблюдают формирование... (5560)
- Япония успешно запустила новый грузовой... (3688)
- SpaceX установила очередной рекорд в 135... (5797)
- У звезды Бетельгейзе обнаружена долгожданная... (5072)
- Nissan представил обновлённую Sakura с... (3814)
- Сначала ChatGPT, потом Sora, а теперь OpenAI... (3747)
- Авторы ChatGPT создают ИИ-модель для... (4032)
- Baza: владельцы iPhone сообщают о перегреве... (4133)
- Новые iPhone получат гораздо больше памяти и... (3341)
- По пути Xiaomi: после пылесосов,... (4068)
- Больше 1000 км без подзарядки: Sunwoda... (5696)
- Sunwoda представила полимерные твердотельные... (4314)
- Intel подыскала себе нишу на рынке ИИ-чипов,... (5579)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...