- BMW 3 серии празднует 50 лет: модель... (3273)
- В Санкт-Петербурге впервые за шесть лет... (3558)
- Убытки Porsche взлетели до 1 млрд долларов.... (3590)
- Toyota растёт: компания наращивает выпуск и... (3773)
- «Не игра, а образ жизни»: в Steam... (3182)
- Новейший смартфон с кремниево-углеродным... (3170)
- Топовые камеры с перископическими модулями и... (3759)
- Раскол в захваченной Nexperia: штаб-квартира... (3364)
- Этот пылесос должен убрать даже въевшуюся... (3645)
- Монголия рассчитывает привлечь инвестиции в... (2925)
- Превратить любую фотографию в реалистичную... (3227)
- LG выпустила новый OLED-монитор: 27 дюймов,... (3814)
- Цены OnePlus 15 и Ace 6 слили прямо перед... (3675)
- В России могут выпустить новые версии Hongqi... (3230)
- Xiaomi 17 Ultra не получит задний экран, как... (3605)
- Над Москвой заметили яркий неопознанный... (4677)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...