- Google инвестирует в газовую электростанцию... (3727)
- Sesame — стартап от основателя Oculus —... (4402)
- Спонсируемая Биллом Гейтсом малая АЭС... (5308)
- Китайский стартап Noetix представил... (5054)
- Для тех, кому обычного Haval H6 мало: Great... (4783)
- Китайские физики передали квантовый ключ на... (5293)
- Новые Volkswagen T-Cross предлагаются в... (3817)
- Праздник у пользователей Xiaomi, Redmi и... (4267)
- Разработана система генерации голосовых... (3799)
- Perplexity представила первое ИИ-приложение... (5520)
- OpenAI задумалась о музыкальном... (3723)
- Из X уволился главный кандидат на пост главы... (3613)
- TSMC объявила, что не боится запрета... (5068)
- Apple MacBook Pro M5 получил низкий рейтинг... (3744)
- Новый японский космический грузовик... (5012)
- Boox представила компактный букридер Palma 2... (3825)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...