- Tesla отзывает более 63 000 Cybertruck из-за... (3752)
- Японский кроссовер — за 2,68 млн рублей.... (5313)
- Двойной слой электродов повышает... (4429)
- Китай сформулировал приоритеты на новую... (3596)
- Не только 200 Мп и «самый большой... (4360)
- Австралийская Gilmour Space ещё раз... (3752)
- Relativity Space успешно завершила испытания... (5423)
- Потенциально обитаемая экзопланета... (5054)
- За последние два года крупные игровые СМИ... (4999)
- Как произошёл масштабный сбой Amazon Web... (3935)
- 7300 мАч и 120 Вт, 165 Гц, очень тонкая... (6143)
- IBM запускает ключевой алгоритм квантовых... (4254)
- Совершенно другую Volga засветили в Сети.... (3978)
- «Джинсовый» против «альпийского белого»:... (5084)
- «Джинсовый» Redmi K90 Pro Max сравнили на... (4033)
- Уже не «кирпич»: абсолютно новый Hyundai... (5594)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...