- Совершенно другую Volga засветили в Сети.... (3971)
- «Джинсовый» против «альпийского белого»:... (5083)
- «Джинсовый» Redmi K90 Pro Max сравнили на... (4032)
- Уже не «кирпич»: абсолютно новый Hyundai... (5582)
- Samsung принимает участие в разработке чипа... (4153)
- «В мире не так много брендов, способных на... (3763)
- Google Willow опережает топовые... (5367)
- Google Willow выполняет некоторые вычисления... (5284)
- Власти США готовятся запретить экспорт... (4576)
- BYD выводит на мировой рынок новинку... (4522)
- Space Shuttle за 20 лет не смог сделать то,... (5151)
- Falcon 9 только в 2025 году собирается... (4812)
- В Grok Илона Маска добавили... (3722)
- Tesla поручит Samsung выпуск чипов AI5 сразу... (3654)
- Intel надеется, что процессоры Nova Lake... (3704)
- Маск оценил китайскую ракету Zhuque-3:... (3321)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...