- 7800 мАч, Snapdragon 8 Elite, экран 1,5К 165... (3975)
- Привет из прошлого: Fujitsu выпустила... (4020)
- OpenAI признаёт нерешённую уязвимость в... (4309)
- Инвесторы остались недовольны замедлением... (3845)
- Каждая пятая из утечек безопасности связана... (3684)
- На что способен новый MacBook Pro на M5 в... (3832)
- Китайские инженеры вывели из строя... (4055)
- NASA активировало планетарную оборону против... (4311)
- Представлен огромный 98-дюймовый телевизор... (3693)
- iPhone Air лучше iPhone 17, но обе модели... (3802)
- Мини-ПК с RJ45 25GbE, четырьмя слотами для... (3443)
- Owlcat подтвердила, когда выйдет Warhammer... (3613)
- Bethesda анонсировала Fallout 4: Anniversary... (3828)
- Google закопает свои выбросы: компания... (4654)
- Комета C/2025 R2 (SWAN) выходит после заката... (3905)
- Ubisoft наконец подтвердила Assassin’s Creed... (3793)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...