- Microsoft Edge стал ИИ-браузером для всех —... (3827)
- Тодд Говард «с нетерпением» ждёт дня, когда... (3990)
- Apex запланировала демонстрацию прототипа... (3670)
- Экран 1,5K OLED 165 Гц, Snapdragon 8 Elite... (3633)
- Intel собралась надолго «застрять» на... (3794)
- Почти та же начинка, за исключением... (3775)
- На мировой рынок выходит новейшая система... (3533)
- Большой седан Geely с дизайном в стиле... (3539)
- 5000 мА·ч — это уже вчерашний день. Honor... (3633)
- Илон Маск подтвердил: Tesla AI5 будет... (3572)
- Sony выпустила финальную версию Android 16... (3429)
- Snapdragon 8 Elite Gen 5, 10-кратный зум,... (4430)
- Дональд Трамп помиловал основателя... (3674)
- Роскомнадзор отчитался о блокировке почти... (3736)
- Ice Universe: «Теперь Samsung — бренд с... (3608)
- КамАЗ возвращается к стандартной пятидневной... (3581)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...