- Гуманоидный робот с 22 степенями свободы за... (3608)
- «Он не будет похож на робота. Он будет похож... (3408)
- Tesla отчиталась о рекордных поставках... (3421)
- Квартальная выручка Tesla выросла на 12 %,... (4234)
- Расход Haval Jolion 2026 оказался гораздо... (3742)
- «Корабль»-астероид 3I/ATLAS из другой... (3454)
- 120 Гц, ИК-пульт, IP68/IP69, топовая камера,... (3998)
- Особенный Redmi K90 Pro Max показали за... (3567)
- Создатели новой «Волги» не подтвердили... (5444)
- Omdia: Apple вместо iPhone 19 выпустит... (4503)
- Производством американских ИИ-чипов для... (5098)
- Выпуском ИИ-чипов для Tesla в США будут... (4260)
- Reddit подал в суд на Perplexity за... (3491)
- В Ульяновске выпустили миллионную шину... (3940)
- Представлен Exeed ES7: премиум-гибрид с 446... (3749)
- Умение Альтмана играть на самолюбии... (3661)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...