- «Группа Астра» с 1 января 2026 года повысит... (3594)
- Ускорители Nvidia H100 отправятся в космос.... (5356)
- Акции Netflix ушли в пике — подвели... (3648)
- «Это какая-то тёмная магия»: окончательные... (6542)
- YouTube поможет пользователям завязать с... (4037)
- Apple ещё раз придётся ответить за создание... (5589)
- Kia Rio, Hyundai Solaris и вечный Ford... (4331)
- Unity подсказала разработчикам новый способ... (4093)
- Apple «радикально» снижает производство... (5022)
- «Абеляр, готовься к ещё одному прохождению»:... (5223)
- Рекордная концентрация инвестиций в... (5030)
- M**a уволит 600 сотрудников лаборатории... (6219)
- Смартфоны Realme 15, 15 Pro и 15T поступили... (3659)
- 6,9 млн рублей за одну из самых роскошных... (4998)
- Стив Возняк, «крёстных отцов ИИ» и ещё... (5055)
- Активность архива интернета Wayback Machine... (5915)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...