- 200 Мп, 3-кратный оптический зум, Snapdragon... (3990)
- 7800 мАч, 120 Вт, 120-герцевый экран,... (6217)
- Ещё одна альтернатива платформам NVIDIA —... (3706)
- Новая статья: Обзор смартфона realme 15 Pro:... (4048)
- Учёные создали кибер-глаз, частично... (4000)
- Samsung выпустила недорогой 27-дюймовый... (3776)
- iQOO 15 — самый дешевый флагман на... (3790)
- Не бит, не крашен, пробег — 8 тысяч... (3951)
- Zotac выпустила самый компактный в мире ПК с... (7417)
- Акции Apple обновили исторический максимум... (3949)
- «Выглядит фантастически, как и в первый... (3715)
- Сервисы AWS упали второй раз за день —... (4493)
- AMD может оставить любителей мощных iGPU без... (4692)
- Календарь релизов 20 – 26 октября: Ninja... (3869)
- В Windows сломалась аутентификация по... (3831)
- Представлен флагман iQOO 15 с чипом... (3830)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...