- «Лучший промышленный дизайн России»: Lada... (5849)
- Эксперимент: блогер трогала ткань, металл,... (3770)
- 7800 мАч, 120 Вт, 165 Гц и IP69. Президент... (4096)
- Неужели наигрались? У мобильной версии... (4286)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, тройная... (4730)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, тройная... (4252)
- Nvidia совсем скоро может обогнать Apple и... (4276)
- Представлена ТВ-приставка SberBox Max —... (5507)
- Завершился чемпионат по гонкам на... (7593)
- Корейские кроссоверы и внедорожники KGM... (4601)
- Культовый ролевой боевик Enclave спустя 22... (4265)
- От концепта к реальному смартфону:... (4293)
- Samsung не решалась на это четыре года:... (3776)
- Все смартфоны Samsung Galaxy S26 могут быть... (3956)
- 7300 мА·ч, 120 Вт по проводу и 50 Вт по... (5638)
- Первый запуск тяжёлой ракеты «Ангара-А5» с... (5894)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...