- Unitree представила 180-сантиметрового... (4008)
- 7000 мАч, 100 Вт, топовый экран Samsung 2K... (4073)
- Одноклассник Toyota Camry и Honda Accord с... (5696)
- MSI представила компактную плату MPG X870I... (3856)
- «Лучший промышленный дизайн России»: Lada... (5882)
- Эксперимент: блогер трогала ткань, металл,... (3794)
- 7800 мАч, 120 Вт, 165 Гц и IP69. Президент... (4115)
- Неужели наигрались? У мобильной версии... (4310)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, тройная... (4758)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, тройная... (4280)
- Nvidia совсем скоро может обогнать Apple и... (4302)
- Представлена ТВ-приставка SberBox Max —... (5536)
- Завершился чемпионат по гонкам на... (7620)
- Корейские кроссоверы и внедорожники KGM... (4625)
- Культовый ролевой боевик Enclave спустя 22... (4289)
- От концепта к реальному смартфону:... (4322)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...