- От концепта к реальному смартфону:... (4327)
- Samsung не решалась на это четыре года:... (3807)
- Все смартфоны Samsung Galaxy S26 могут быть... (3987)
- 7300 мА·ч, 120 Вт по проводу и 50 Вт по... (5675)
- Первый запуск тяжёлой ракеты «Ангара-А5» с... (5910)
- Ну купи «Нуу». 300-долларовый Nuu B40... (6073)
- RTX 2080 Ti могла бы быть GTX 2080 Ti и с... (4370)
- Geely Coolray и Geely Emgrand начнут... (4463)
- Новое руководство Nexperia заявило, что... (5683)
- Представлен гигантский телевизор LG Magnit... (4795)
- 748-сильный полноприводный гибрид с «боевым... (5623)
- «Игровая консоль для уличной фотографии».... (9774)
- Альтернатива Range Rover Autobiography: в... (5625)
- Количество доменов в зоне .RU превысило 6... (4569)
- Пройдёт не менее десяти лет, прежде чем... (6078)
- Land Cruiser, в сторону. Представлен BYD... (4301)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...