- В Windows 11 появился ИИ-помощник, который... (3825)
- Судебные документы Sony и Tencent раскрыли,... (4497)
- WhatsApp введёт лимит на безответные... (4132)
- Apple обвинила Epic Games в новой попытке... (4543)
- Intel Foundry получила большой заказ от... (5193)
- Представлены первые в мире смартфоны с... (4282)
- Фэнтезийный боевик Absolum приглянулся не... (4405)
- Европейцам не повезло: в этом регионе... (3824)
- «Выбор сделали за меня»: бывший руководитель... (3843)
- Флагманский кроссовер Chery подешевел в... (3902)
- Более 200 ИИ-агентов, «крылья сокола» и... (4983)
- Хакеры слили данные сотен сотрудников ФБР,... (4119)
- Родители смогут ограничивать общение своих... (4935)
- ИИ-модели и сервисы основного конкурента... (4071)
- ИИ повысил результативность фишинга в 4,5... (4686)
- Мощный гибрид, полный привод, автопилот и... (3727)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...