- Не тот сиквел, который фанаты ждали 20 лет:... (4074)
- Учёные создали искусственный нейрон с... (4542)
- В России начали продавать пятидверные... (5306)
- Apple сама решила обделить зарядными... (3785)
- Apple сама решила обделить зарядными... (4351)
- Maxsun представила компактную плату с... (5464)
- Microsoft научила Windows 11 автоматически... (5939)
- Официальная альтернатива Li Auto L6. В... (5069)
- Новая статья: Vampire: The Masquerade —... (4150)
- Новый Hyundai по цене Lada Vesta. В России... (5765)
- Биткоин рухнул ниже $106 тысяч и потянул за... (4401)
- Электроника покорила новые высоты: учёные... (6304)
- 5500 мАч, 66 Вт, 120 Гц, IP65 — за 300... (5639)
- «Протон» готов к 430-му... (4150)
- Завершена сборка трёх ступеней ракеты... (5497)
- Wikipedia пожаловалась, что из-за ИИ её... (4427)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...