- Oppo представила глобальные версии... (2399)
- «Маленький китайский дракон» Biren... (2280)
- Samsung Freestyle+: портативный проектор с... (1888)
- Минималистичный смартфон Punkt MC03 с... (2255)
- Новый космодром у экватора: Турция начала... (1935)
- Microsoft и ведущие биологи выявили... (1936)
- Microsoft и ведущие биологи выявили... (2283)
- Масштабы спутниковых радиочастотных помех... (1850)
- За 2025 год американцы потеряли более 300... (2437)
- За 2025 год американцы потеряли более 300... (1938)
- В Китае запущена крупнейшая в мире атомная... (1933)
- В Китае робот-полицейский в стиле... (2010)
- Новый Honda HR-V на подходе: опубликованы... (2378)
- Китай вводит обязательную отчётность по... (2417)
- 7000 мАч, IP69, 12/512 ГБ памяти, но... (1731)
- Телескоп «Джеймс Уэбб» зафиксировал смещение... (1797)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...