- Не дефект, а особенность конструкции:... (2338)
- SLI переродилась: нейросетевой рендеринг... (2856)
- Смартфон HMD Key 2 рассекретили до... (2489)
- В стиле классических кнопочных телефонов... (2729)
- Nokia Asha возвращается спустя годы: HMD... (2602)
- Популярные кроссоверы Geely подорожали в... (2681)
- Быстрый интернет с минимальный задержкой... (2420)
- Представлен полутвердотельный внешний... (2717)
- 2,6 млн рублей за топовое оснащение,... (2754)
- Целая россыпь портов и сразу три отсека для... (2212)
- Производство передовых чипов ускорится —... (2391)
- Arm представила платформу для создания... (2638)
- Два встроенных кабеля и поддержка Dynamic... (2527)
- Никаких ChatGPT, Grok и Gemini: в России... (2914)
- От 65 до 98 дюймов, Super MiniLED, до 288 Гц... (2498)
- Репортаж со стенда Hisense на IFA 2026:... (2281)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...