- MSI представила мониторы с новыми... (2245)
- Celestis и Stoke Space отправят прах на... (1980)
- Эта RTX 5060 Ti получила восьмиконтактный... (1784)
- Компания Punkt представила смартфон с... (1722)
- Компьютеры станут еще дороже: контрактные... (2448)
- Биотехнология против опустынивания: Китай... (1795)
- Стойка ускорителей Nvidia GB200 NVL72 почти... (1885)
- Астрономы уточнили происхождение... (1752)
- Брутальный американский пикап Ram получил... (2303)
- Настоящий современный преемник BlackBerry?... (2276)
- BYD окончательно разгромила Tesla на рынке... (1806)
- AMD вплотную подобралась к Intel в... (2474)
- В Белоруссии запретили ввоз и продажу... (1894)
- Создана первая дышащая модель... (2125)
- Заказы на новые кроссоверы Chevrolet Captiva... (1850)
- Мышь-космонавт родила здоровое потомство... (2076)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...