- Пекин запускает пилотное производство... (1985)
- Samsung анонсировала портативный проектор... (2472)
- Учёные просчитали, как лунный реголит... (1918)
- Kia и Hyundai российской сборки подорожали:... (1823)
- Анонсированы лёгкие и прочные ноутбуки LG... (1878)
- И Oculink, и Thunderbolt 5, и блок питания... (2261)
- Китай и США ищут способы продлить жизнь... (2369)
- Бенчмарк AnTuTu опубликовал декабрьские... (2083)
- Продажи Tesla в Европе продолжают падать, но... (2385)
- Asus как минимум временно уходит с рынка... (1882)
- 2-нанометровый техпроцесс озолотит TSMC.... (1839)
- Стоит ли в 2026 году покупать новый игровой... (2141)
- Стоит ожидать подорожания iPhone? Платформа... (1817)
- Gigabyte тоже готовит какую-то новую топовую... (1814)
- Corsair отменила оплаченный заказ на готовый... (1822)
- Инсайдер раскрыл, каким будет первое... (1875)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...