- «Почти во всём, к чему причастен Илон,... (4623)
- Чипы будущего примеряют бриллианты — новым... (5457)
- В России предлагают кардинально изменить... (5879)
- Дженсен Хуанг отправил в Samsung гарантийное... (5827)
- В iFixit докопались, как работают волноводы... (6311)
- «Людям надоели одинаковые фото» — альянс... (8137)
- Оператор платформы заявил, что сбой в... (6320)
- Netflix анонсировала «совершенно новый... (6184)
- Caira — новая камера с интеграцией ИИ-модели... (6477)
- Первый революционный iPhone за многие годы... (4818)
- Не помогает даже постоянный бестселлер... (6843)
- Stoke Space привлекла $510 млн на завершение... (5686)
- Одна миссия NASA спасена от бюджетных... (4944)
- Возвращение Monjaro. 85% больших кроссоверов... (5695)
- Т-Банк запустил мультибанкинг, объединив в... (6093)
- Квартальная выручка TSMC выросла на 30 % и... (5490)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...