- Стало известно, с каких машин россияне... (6228)
- Теперь ИИ может взаимодействовать с... (5731)
- Nvidia получила лицензии, необходимые для... (5740)
- «Четыре года упорного труда». В Realme GT 8... (5865)
- 449 л.с., полный привод, запас хода более... (5560)
- Основатель Xiaomi заявил, что спрос на... (5755)
- Воров, крадущих кабели InstaVolt для зарядки... (6201)
- Toyota намерена выпустить первые в мире... (5986)
- Японский «секонд-хенд» теряет популярность в... (5040)
- «Ваш подвал — это бесплатный кондиционер.... (6463)
- США начнут обгонять другие регионы по темпам... (6122)
- Этот Mercedes-Benz с батареей 100 кВт·ч... (6247)
- Сотни Toyota RAV4 закупили для полицейских,... (6092)
- Geely Emgrand нового поколения с дизайном... (6460)
- Super Heavy доставили на стартовую площадку... (5614)
- Discord сообщил об утечке удостоверений... (5797)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...