- 32 GPU, 768 ГБ видеопамяти и 10,8 кВт... (6727)
- Новая статья: Компьютер месяца — октябрь... (6522)
- Новая статья: Обзор робота-уборщика Dreame... (5605)
- Blue Origin совершила 15-й запуск корабля... (6746)
- Спутниковая группировка Starlink теряет по... (5656)
- AST SpaceMobile перехватила клиента у... (5527)
- В России стартовали продажи... (6076)
- Blue Origin доставила ускоритель New Glenn... (6497)
- В Steam открылось тестирование Valor Mortis... (6290)
- И BMW, как и Tesla, обогнал Mercedes по... (5279)
- В Россию из Европы приехал Skoda Kodiaq с... (6227)
- Google Chrome, Safari и Microsoft Edge... (6215)
- Нобелевскую премию по химии за 2025 года... (6711)
- Комета C/2025 A6 (Lemmon) даёт последний... (5503)
- Двухметровые кровати, душ, экраны и... (7009)
- Самое большое дополнение в истории Crusader... (5450)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...