- Toyota может прекратить партнёрство с Subaru... (5346)
- Nissan подтвердил выпуск Xterra 2028 года с... (7473)
- Для конкуренции с Toyota 4Runner: Nissan... (7220)
- Новое подорожание Xbox Game Pass не затронет... (5410)
- Швейцарские учёные подключили нейроны из... (6178)
- В ранний доступ Steam ворвалась олдскульная... (6210)
- Представлен одноплатный компьютер Arduino... (7472)
- Материнская плата ASRock X870 RS PRO WiFi... (6459)
- Samsung представила уменьшенный 200-Мп... (6369)
- Asus показала GeForce RTX 5090 за... (6213)
- Steam сломался второй раз за день — проблемы... (6811)
- MSI выпустила GeForce RTX 5070 Ti Ventus 3X... (8010)
- Samsung представила 27-дюймовый монитор... (7197)
- Первый в мире мотоцикл с... (6601)
- В онлайн-кинотеатре Kion появились детские... (6633)
- «Уже даже не смешно, насколько это плохо»:... (7530)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...