- КамАЗ представил совершенно новый автобус... (7419)
- Россияне массово скупают подержанные... (7968)
- 6500 мАч, 90 Вт, 200 Мп, IP69 — недорого.... (6800)
- Браузер Microsoft Edge существенно... (7425)
- Нобелевская премия по физике присуждена за... (5954)
- Неудача Natron Energy не приведёт к краху... (7519)
- «Китайский Cadillac» пользуется спросом в... (8453)
- Возможно, это будет единственный флагман со... (7224)
- «Наконец-то игра про Джона Уика»: мрачный... (7337)
- «Новый эталон среди проекторов» и «Флагман... (8129)
- Outlander по-прежнему с Mitsubishi в России:... (6606)
- Лучшая роль второго плана: чипы AMD... (6247)
- Всё, к чему прикасается OpenAI, начинает... (7244)
- xAI потратит $18 млрд на ускорители NVIDIA... (6403)
- В России начались продажи смартфона iQOO... (6780)
- Копия Geely Monjaro от Renault — от 3,75 млн... (7751)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...