- Самый долгоиграющий смартфон в линейке.... (7148)
- Самый долгоиграющий смартфон в линейке... (8038)
- Дешёвый Samsung Galaxy A15 получил финальную... (7354)
- Джони Айв признался, что уже придумал для... (6536)
- Теперь без электродов. Samsung создаёт... (6527)
- «Нужно верить в то же, что и мы», — OpenAI... (6397)
- Samsung Galaxy Tab S10+ и Galaxy Tab S10... (7135)
- Ветер и солнце стали давать больше... (6182)
- Представлен самый маленький датчик... (6269)
- Каршеринг «Яндекс Драйв» заработал в Нижнем... (8395)
- Представлен самый маленький датчик... (9966)
- В Россию привезли внедорожники Haval H9 2025... (7739)
- Лучшее из двух миров: первый гибридный... (6063)
- Microsoft запрещает устанавливать Windows 11... (5909)
- Олдскульное приключение Mina the Hollower не... (6175)
- TSMC произвела первую пробную партию 2-нм... (7379)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...