- Doogee привезла на IFA 2026 защищённый... (2553)
- Топовая камера Lofic и новый Snapdragon,... (2485)
- Топовая камера камера Lofic и новый... (2687)
- Корейский стартап HyperAccel представил... (2578)
- Аккумуляторы в 1,26 млн автомобилей были... (2291)
- Флагманские камерофоны Vivo X500, Vivo X500... (2677)
- Представлен Smart Watch Face 2 — теперь он... (2873)
- Пользователь заказал Nvidia RTX 5080 за... (2743)
- Ведьмак стал вампиром: один из первых модов... (2742)
- Xiaomi выпустила умный аквариум Mijia Smart... (2635)
- GPT-6 Astra прошла Portal без человека — но... (2404)
- Представлен компактный модуль ОЗУ LPDDR5X... (2508)
- Рассчитан на миллион включений: умный... (2298)
- «Луна наша». Трамп объявил Луну... (2298)
- Новые принципы компоновки чипов позволили... (2518)
- 144 Гц, батарея на 7100 мА•ч, четыре камеры... (2823)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...