- Huawei представила процессор Kirin 9050 Pro... (2486)
- Figure AI потратит $3,5 млрд на аренду у... (2551)
- «Билайн» откажется от своего ТВ-сервиса в... (2564)
- Землю накроют магнитные бури уже 8 и 9... (2562)
- Представлен графеновый обогреватель Xiaomi ... (2466)
- Такси дешевле, если подождать: «Яндекс Go»... (2630)
- Без руля и без разрешения: Tesla сама... (2516)
- Утечка раскрыла российскую цену iPhone 18... (2720)
- «AGI уже создан»: Хуанг высоко оценил... (2475)
- OpenAI призвала замедлить развитие ИИ из-за... (2448)
- Microsoft потребовала от суда признать... (2648)
- Первая за 20 лет новая Onimusha не... (2298)
- Китай первым увидел ИИ-гонку в отчётности.... (2615)
- Huawei представила смартфон с толщиной 3,5... (2032)
- Valheim 2 не будет — разработчики продолжат... (2437)
- Lada Iskra можно прокачать до 140 л.с. —... (2651)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...