- Отключить DLSS и переложить эту работу прямо... (2059)
- Китайская BYD показала самый слабый рост... (1897)
- Видеокарты наконец-то перестанут гореть? MSI... (2035)
- Истина в Шампанском — скопление галактик с... (2431)
- Nvidia ведёт переговоры о покупке... (2150)
- MSI представила два 32-дюймовых игровых... (2078)
- Samsung «заморозила» цены на Galaxy S26,... (2472)
- «Буханка» и «Патриот» подорожали: УАЗ... (2162)
- Samsung начала поставки 34-дюймовых... (2755)
- Китайская космическая компания Landspace... (2134)
- Первый в 2026 году метеорный поток... (2566)
- Прототип частной полупроводниковой фабрики... (2089)
- Акции Kioxia показали рекордную динамику... (2963)
- Apple сократила производство гарнитуры... (2390)
- Neuralink начнёт массовое производство... (1876)
- TSMC идёт с опережением графика. Компания... (2376)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...