- Студия Илона Маска планирует выпустить игру... (6377)
- OpenAI в рамках сделки с AMD будет не только... (7031)
- Представлена новая версия Tesla Optimus.... (6228)
- Илон Маск: Grok позволит создавать фильмы... (5189)
- Европейская ракета Ariane 6 обзавелась датой... (6791)
- 3,0-литровый дизель GWM, который обещает... (6507)
- Microsoft исправила баг, из-за которого в... (7110)
- OpenAI сделала общедоступным Codex —... (7237)
- Xiaomi 17 — лучший флагман по соотношению... (5598)
- 760 л.с., запас хода 1400 км, рама и полный... (5716)
- Бэкапов нет, работа стоит, надежд мало: 858... (6871)
- Совершенно новый (и дешевый) Toyota Land... (5988)
- Windows скоро станет умнее — Microsoft видит... (8355)
- OpenAI запустила AgentKit — инструмент для... (7131)
- Redmi Note 14 5G — лучший смартфон по... (6827)
- Новая статья: ИИтоги сентября 2025 г.:... (7520)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...