- MaxSun представила первую видеокарту Intel с... (6237)
- Эпично сломал Gemini? Теперь за это можно... (6746)
- Регулятор выдал возрастной рейтинг Aliens:... (6276)
- Blue Origin готовит пилотируемый старт... (6871)
- Представлен чехол, который превратит iPhone... (6694)
- Судьба зонда «Юнона» под вопросом — NASA... (6186)
- 6 миллиардов тонн в секунду: свободно... (6353)
- Акции AMD взлетели на 30 % после объявления... (7733)
- Во Франции запустили расследование возможной... (7240)
- В России отключили мобильный интернет для... (6569)
- Пополнить «Тройку» и карту москвича: к... (7384)
- OCuLink оказался быстрее Thunderbolt 5 —... (6335)
- Рокерский экшен Devil Jam в духе Vampire... (5952)
- MaxSun представила «невозможную» видеокарту:... (6935)
- Vivo показала, как снимает новый... (6258)
- Крупный метеорит упал на Землю, вызвав... (6862)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...