- Россияне разочаровались в «Москвиче»? В 2025... (7132)
- Прощальный аккорд Volvo V60: представлен... (7393)
- Возвращать их пока не научились: на Байконур... (7200)
- OpenAI не исключает появления рекламы в... (6519)
- Microsoft снова закрыла возможность... (8895)
- Дизайн как у Chevrolet Silverado, мотор... (5703)
- Российский «Автотор» выпустил за прошлый год... (7185)
- Вдохновлён легендарным Nissan Patrol:... (6129)
- По всему миру случился массовый сбой в... (8571)
- Одноклассник Mercedes-Benz GLS и Audi Q9:... (7211)
- JEDEC рассказала о работе над UFS 5.0 —... (7126)
- Китайцы модифицировали микробов для... (6908)
- Семиместный «Москвич М90» будет оснащён... (10542)
- Сценарист Alien: Isolation объяснил, почему... (6548)
- Jetour переписал цены в... (6117)
- Япония введёт крупнейшие за десятилетия... (5170)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...