- Новая эра КАМАЗа: в России полностью... (5920)
- «Лучшее из двух миров». Гибридный телефон... (5856)
- Корейские внедорожники с 5 годами гарантии и... (6378)
- Peugeot 408X, 4008, 5008, Citroen C5... (5797)
- Новый процессор Huawei Ascend 910C:... (6413)
- Новую Tesla представят уже завтра, 7... (8157)
- Неубиваемый телефон Nokia 800 Tough... (7301)
- 7000 мАч, Android 15, стереодинамики,... (5726)
- Смартфон HMD Solo рассекречен перед... (5290)
- Geely Monjaro, Zeekr, Li Auto и другие —... (5948)
- Paradox забросит амбициозную стратегию... (7847)
- Поглощение Activision обернулось тем, чего... (8564)
- Asus выпустила первый моноблок класса... (5173)
- 20 тыс. км и 260 Тбит/с: подводный кабель... (6204)
- Последнее большое обновление для Samsung... (7075)
- Блогер дошёл до «края мира» Minecraft —... (5877)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...