- Asus выпустила первый моноблок класса... (5179)
- 20 тыс. км и 260 Тбит/с: подводный кабель... (6213)
- Последнее большое обновление для Samsung... (7086)
- Блогер дошёл до «края мира» Minecraft —... (5887)
- В России больше не принимают новых... (6877)
- Конкурент Geely Monjaro от Changan готов к... (5875)
- ГАЗ разгоняется: завод перешёл от 4-дневной... (6362)
- В чём новые Volkswagen из Поднебесной будут... (5976)
- «Это полный сюр»: хоррор об ужасах долговой... (6770)
- Быстро найти жильё поблизости: в сервисе... (6724)
- Октябрь начался с рекорда: российский... (6957)
- Представлены новые Dacia Sandero, Sandero... (5896)
- Orion soft представил рынку собственный... (5774)
- Apple готовится к уходу Тима Кука. Назван... (5660)
- +69 000 % за 20 лет: акции Nvidia —... (5955)
- Российские операторы хотят упростить... (6263)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...