- BYD по итогам прошедших трёх кварталов этого... (7343)
- План «Стрела»: тысячи сотрудников Renault... (6120)
- Глава OpenAI Сэм Альтман отправился в... (7816)
- Надёжный кроссовер Hyundai на платформе Kia... (5962)
- Сделка Intel с Nvidia не поколебала... (7030)
- Apple прекратила называть Watch и Mac mini... (5574)
- Microsoft резко увеличила стоимость Game... (6493)
- Аудитория браузера Brave выросла вчетверо и... (6637)
- Поиграли в электромобили — и хватит? Чисто... (7580)
- Google говорит Samsung «прощай»? Линейка... (9142)
- Сверхэкономичный Lada Largus CNG начали... (7554)
- Новый «Москвич М70» получит 9-ступенчатый... (5442)
- Новый виток эволюции Toyota Land Cruiser... (7542)
- В Китае рухнули продажи Li Auto: конкуренты... (7093)
- Конкурент iPhone Air и Samsung Galaxy S25... (7383)
- Ещё один супердешевый смартфон Samsung,... (5878)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...