- В M**a начали отслеживать активность... (15800)
- Вместо Keenetic теперь Netcraze. Компания... (6476)
- M**a построит ещё один «палаточный» ИИ... (8345)
- Новая статья: Компьютер месяца, спецвыпуск:... (6097)
- Новая статья: NCORE — жетонов и зрелищ!... (7485)
- Новое устройство позволяет контролировать... (13242)
- Подлёдный океан глубиной до 170 км обнаружен... (5828)
- Новый метод регистрации гравитационных волн... (6961)
- Астрономы обнаружили самый мощный и дальний... (5726)
- На базе CERN провели первые эксперименты по... (6747)
- Tesla запатентовала надувной спойлер для... (6438)
- 6, 7 и 8 сентября россияне смогут наблюдать... (6340)
- Распродажа Lada продлена на октябрь: АвтоВАЗ... (6407)
- Так снимает новейший Honor Magic8 Pro: два... (6198)
- Учёные создали искусственный нейрон, который... (7858)
- xAI через две недели запустит Grokipedia —... (6248)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...