- Google начала продавать запчасти для Pixel... (5588)
- Новая статья: Hades II — титан вне времени.... (6088)
- «Делаем всё, чтобы каждый покупатель игры... (5668)
- Безумный роглайк Megabonk в духе Vampire... (5423)
- ИИ-браузер Comet заставили воровать письма... (5910)
- Keenetic ушёл из России — вместо него теперь... (5711)
- Геймерскую мышь превратили в шпионский... (5615)
- В Китае собрали крупнейший в мире плавучий... (6292)
- Первый «Москвич» с 9-ступенчатым... (6340)
- AMD, вероятно, решила одну из самых... (5616)
- Samsung представит гарнитуру смешанной... (5319)
- Облачный игровой сервис Xbox Cloud Gaming... (5811)
- Thermal Grizzly представила эффективные... (5918)
- Kodak впервые за годы выпустила новые плёнки... (5218)
- Китай, Япония, Таиланд, Вьетнам, Европа,... (6359)
- Слухи: ремейк культовой Halo: Combat Evolved... (5084)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...