- Титан возвращается: в России представили... (5191)
- Китайская CXMT освоила 18-нм DRAM с помощью... (4927)
- Боссы в Resident Evil Requiem проверят не... (6889)
- Приложение «Газпромбанка» для iPhone... (4834)
- Устройство Ampinel добавит видеокартам то,... (5373)
- Intel потеряла душу: кризис в компании... (5573)
- Toyota Highlander подешевел в РФ за год на... (6100)
- Добро пожаловаться: на «Госуслугах» можно... (11028)
- «Выглядит словно Demon's Souls на движке... (6112)
- У планеты-изгоя проснулся аппетит уровня... (6330)
- Western Digital похвалилась, что уже может... (8876)
- Технологии Google губят традиционные сайты —... (6332)
- Совершенно новый Kia Telluride готов к... (6573)
- ВМС США с головой погрузились в облако... (6101)
- 2 миллиарда убитых зомби за 25 миллионов... (7547)
- CPU двойного назначения: SiPearl... (6876)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...