- Российские Hyundai и Kia (Solaris) стали ещё... (6069)
- Новая статья: Обзор смартфона HUAWEI nova 14... (5668)
- А так ли нужен Маск на самом деле? Акционеры... (5910)
- Четыре женщины взаперти: эксперимент по... (6289)
- 7100 мАч, Snapdragon 8 Elite Gen 5, чистый... (5765)
- Власти Тайваня поддержат компании, строящие... (6019)
- RTX 3060 уже не топ: Nvidia GeForce RTX 4060... (6307)
- Jetour T1, который только вышел в России,... (7032)
- В МВД РФ рассказали, где безопаснее всего... (5975)
- МВД РФ рассказали, где безопаснее всего... (6037)
- МВД РФ считает надёжным хранение фото... (5624)
- Первый белорусский гибридный кроссовер... (5737)
- OpenAI: Маск прикрывает провалы xAI громкими... (6050)
- OpenAI утверждает, что претензии Илона Маска... (6442)
- У Германии хватит лития для аккумуляторов... (5722)
- У Германии хватит лития для аккумуляторов... (5421)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...