- В Threads появились «Сообщества» для общения... (5714)
- 7000 мАч, 100 Вт, IP69, беспроводная... (6245)
- Samsung Galaxy S26 Ultra получит экран,... (5271)
- В России переписали цены на Changan CS35... (5402)
- Haval Jolion подорожал в России. Также... (6806)
- Космическая навигация будущего: российскую... (4981)
- «Москвич 3» подорожал в четвёртый раз за... (6017)
- Россия отправит на Луну тяжелый... (5218)
- 449 л.с., полный привод и более 1100 км на... (5431)
- ИИ-браузер Perplexity Comet стал доступен... (5154)
- Вторая жизнь GeForce RTX 3080. В Китае... (5234)
- Продажи Lada Iskra физическим лицам в... (6201)
- Кроссовер Honda WR-V подешевел в России: под... (6860)
- Microsoft вложит $33 млрд в бывшую Yandex... (5071)
- Starbreeze в честь второй годовщины Payday 3... (5194)
- RTX 5090 в 26 раз быстрее Radeon HD 5870:... (4920)
Нитрид галлия обещает изменение форм-фактора зарядных устройств
Дата: 2020-02-22 21:26
Подробнее на Yandex.ru
Предыдущие новости
Распродажа: В России впервые подешевел смартфон Samsung Galaxy A51
На платформе Tmall запущена акция, позволяющая приобрести смартфон Samsung Galaxy A51 заметно дешевле, чем он стоит в большинстве других магазинов. Обычная цена официального Samsung Galaxy A51 с 64 Гбайт памяти, напомним, 19 990...
Главный конкурент Xiaomi Mi 10. Мощные флагманы iQOO 3 и iQOO 3 5G представлены официально
iQOO, игровой суббренд Vivo, представил сегодня горячо ожидаемый флагманский смартфон iQOO 3 и его вариацию iQOO 3 5G. Смартфон установил новый рекорд по производительности в AnTuTu. Как объявил производитель во время онлайн-презентации, смартфон набрал в бенчмарке 610 576 баллов. Это заметно больше результатов новых флагманов Xiaomi, прозванных компанией королями...
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового...
Первое в мире зарядное устройство с нитридом галлия мощностью 120 Вт
Компания Basel выпустила свое первое зарядное устройство с нитридом галлия в 2019 году, а в этом году популярность подобных адаптеров продолжает стремительно расти. Сегодня компания представила новое зарядное устройство Basel Galio, мощность которого составляет 120 Вт. Нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), используемые в данном адаптере, в настоящее время являются...